• SOT-89 D882 NPN Elektronische transistors Plastic Incapsulate Power Dissipation
  • SOT-89 D882 NPN Elektronische transistors Plastic Incapsulate Power Dissipation
  • SOT-89 D882 NPN Elektronische transistors Plastic Incapsulate Power Dissipation
SOT-89 D882 NPN Elektronische transistors Plastic Incapsulate Power Dissipation

SOT-89 D882 NPN Elektronische transistors Plastic Incapsulate Power Dissipation

Productdetails:

Plaats van herkomst: Dongguan China
Merknaam: UCHI
Certificering: Completed
Modelnummer: D882

Betalen & Verzenden Algemene voorwaarden:

Min. bestelaantal: 1000 stuks
Prijs: Onderhandelbaar
Verpakking Details: Standaard
Levertijd: 3weeks
Betalingscondities: T/T, Western Union
Levering vermogen: 5000 stuks
Beste prijs Contact

Gedetailleerde informatie

Markeren:

elektrische transistoren van NPN

,

Elektrische transistors van kunststof

,

Elektrische transistors voor vermogensafvoer

Productomschrijving

SOT-89 D882 Transistoren van kunststof

 

Kenmerken
 
Energieverlies
 
 

Maximaal Ratings (T)a.=25°C tenzij anders is bepaald (vermeld)

 

Symbool Parameter Waarde Eenheid
VCBO Voltage van de basisspanning van de collector 40 V
VDirecteur Voltage van de collectieverzender 30 V
VEBO Standaardspanning van de zender 6 V
Ik...C Kollektorstroom -continu 3 Een
PC Verspreiding van de verzamelaarkracht 0.5 W
TJ Temperatuur van het kruispunt 150 °C
Tstg Bergingstemperatuur -55 tot 150 °C

 

Elektrische kenmerken ((Ta=25°C, tenzij anders aangegeven)

Parameter Symbool Testomstandigheden Min. Type Maximaal Eenheid
Afbraakspanning van de collectorbasis V ((BR) CBO IC = 100μA, IE=0 40     V
Afbraakspanning van de collectieverzender V ((BR) CEO IC = 10mA, IB = 0 30     V
Afbrekingsspanning van de emitterbasis V ((BR) EBO IE= 100μA, IC=0 6     V
Stroom van de collector ICBO VCB= 40V, IE=0     1 μA
Stroom van de collector ICEO VCE= 30V, IB=0     10 μA
Sluitstroom van de zender IEBO VEB= 6V, IC=0     1 μA
Gelijkstroom winst hFE(1) VCE=2V, IC=1A 60   400  
  hFE(2) VCE=2V, IC=100mA 32      
Verzamelaar-emitter verzadigingsspanning VCE (sat) IC= 2A, IB= 0,2 A     0.5 V
Verzadigingsspanning van de basis-emitter VBE (sat) IC= 2A, IB= 0,2 A     1.5 V
Overgangsfrequentie fT VCE = 5V, Ic = 0,1A f = 10MHz 50     MHz

 

Classificatie van hFE(1)

 

Rang R O Y GR
Bereik 60 tot en met 120 100 tot 200 160-320 200 tot 400

 

Typisch Kenmerken

SOT-89 D882 NPN Elektronische transistors Plastic Incapsulate Power Dissipation 0

Wilt u meer details over dit product weten
Ik ben geïnteresseerd SOT-89 D882 NPN Elektronische transistors Plastic Incapsulate Power Dissipation kun je me meer details sturen zoals type, maat, hoeveelheid, materiaal, etc.
Bedankt!
Wachten op je antwoord.